パワー半導体向けSiC製ウエハ

こちらは、パワー半導体向けのSiC製ウエハです。12インチまで製作可能です。8インチ用の場合、外径Φ200、厚み1ｍｍにＶノッチがついています。Ｖノッチは、当社のマシニングセンターを使用して、Φ200×1tの形状に、幅1ｍｍ、角度90°の加工を行いました。Vノッチの幅1ｍｍの精度は、上限公差+0.25下限公差0、角度90°の精度は、上限公差+5下限公差-1です。面粗度は、Ra0.8になります。 「セラミックスデザインラボ」を運営するアスザック株式会社では、SiC原料の調合、造粒、成形から、グリーン加工（生加工）、焼成、二次加工、検査・洗浄までを一貫して行っております。本製品のようなウエハートレイのほか、ウエハ搬送ハンド（自社開発品含む）や吸着チャック、焼成用セッターなどのセラミックス製品の製作実績が多数ございます。 半導体・電子部品向けのセラミックス製品の設計・製作なら、アスザックにお任せください。