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드라이 에칭용 SiC제 웨이퍼 트레이(자그리 홀 타입)

드라이 에칭용 SiC제 웨이퍼 트레이(자그리 홀 타입)|세라믹스 디자인 라보
드라이 에칭용 SiC제 웨이퍼 트레이(자그리 홀 타입)|세라믹스 디자인 라보
상품명 드라이 에칭용 SiC제 웨이퍼 트레이(자그리 홀 타입)
산업 반도체
상품 유형 웨이퍼 트레이
재료 SiC(탄화규소)
크기 외형 Φ230 mm, 두께 2 mm
이쪽은, 4 인치용의 웨이퍼를 실는 SiC 트레이입니다. Φ230×2t의 형상에 3개의 웨이퍼를 올릴 수 있습니다. 웨이퍼를 싣는 부분은, 가위 구멍의 형상입니다. 당사의 머시닝 센터를 사용하여 Φ102, 깊이 0.82의 구멍 가공을 실시했습니다. 가위 구멍의 정밀도는 상한 공차 +0.1 하한 공차 0, 자그리 깊이의 정밀도는 상한 공차 0 하한 공차 -0.05입니다. 자구리 구멍부의 평면 평행도는 0.05 정도입니다. 또한, 폭 3×길이 3.5의 U자 형상의 노치 가공을 실시하고 있습니다. 표면 거칠기는 Ra0.8입니다. 「세라믹스디자인랩」을 운영하는 아스작 주식회사에서는, SiC 원료의 조합, 조립, 성형으로부터, 그린 가공(생가공), 소성, 2차 가공, 검사·세정까지를 일관되게 실시하고 있습니다. 본 제품과 같은 웨이퍼 트레이 외에, 웨이퍼 반송 핸드(자사 개발품 포함한다)나 흡착 척, 소성용 세터 등의 세라믹스 제품의 제작 실적이 다수 있습니다. 반도체·전자 부품용 세라믹 제품의 설계·제작이라면 아스작에 맡겨 주십시오.

세라믹 재료의 가공으로부터 개발까지 일관 대응!

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