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干法蝕刻用SiC晶圓托盤(沉孔型)

干法蝕刻用SiC晶圓托盤(沉孔型)|Ceramics Design Lab
干法蝕刻用SiC晶圓托盤(沉孔型)|Ceramics Design Lab
產品名稱 干法蝕刻用SiC晶圓托盤(沉孔型)
行業 半導體
產品類別 晶圓托盤
材料 SiC(碳化硅)
尺寸 外徑Φ230mm,厚度2mm
這是一個放置 4 英寸晶圓的 SiC 托盤。 一個Φ230×2t的形狀可以放置三個晶圓。放置晶片的部分具有沉孔形狀。使用我們的加工中心,我們鑽了一個直徑為 Φ102、深度為 0.82 的孔。沉孔精度為上公差+0.1下公差0,沉孔深度精度為上公差0下公差-0.05。沉孔的平面平行度約為0.05。此外,應用了寬度為 3 x 長度為 3.5 的 U 形槽口。表面粗糙度為Ra0.8。 運營“陶瓷設計實驗室”的 ASUZAK Co., Ltd. 處理從 SiC 原料製備、造粒、成型到綠色加工(原始加工)、燒成、二次加工、檢查和清潔的所有工作。除了像本產品這樣的晶圓托盤,我們在製造陶瓷產品方面也有很多成就,例如晶圓轉移手(包括內部開發的產品)、吸盤和點火器。 如果您正在尋找半導體和電子元器件的陶瓷產品的設計和生產,就交給Asuzac吧。

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