干法蝕刻用SiC晶圓托盤（沉孔型）

這是一個放置 4 英寸晶圓的 SiC 托盤。 一個Φ230×2t的形狀可以放置三個晶圓。放置晶片的部分具有沉孔形狀。使用我們的加工中心，我們鑽了一個直徑為 Φ102、深度為 0.82 的孔。沉孔精度為上公差+0.1下公差0，沉孔深度精度為上公差0下公差-0.05。沉孔的平面平行度約為0.05。此外，應用了寬度為 3 x 長度為 3.5 的 U 形槽口。表面粗糙度為Ra0.8。 運營“陶瓷設計實驗室”的 ASUZAK Co., Ltd. 處理從 SiC 原料製備、造粒、成型到綠色加工（原始加工）、燒成、二次加工、檢查和清潔的所有工作。除了像本產品這樣的晶圓托盤，我們在製造陶瓷產品方面也有很多成就，例如晶圓轉移手（包括內部開發的產品）、吸盤和點火器。 如果您正在尋找半導體和電子元器件的陶瓷產品的設計和生產，就交給Asuzac吧。